在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（)。

A.四价

B.三价

C.五价

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体

根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分（)型和（)型半导体。

A.由两种不同的材料硅和锗制成

B.掺入的杂质不同

C.P区和N区的位置不同

D.电流的放大倍数不同

A.绝缘材料

B.导体材料

C.半绝缘材料

D.半导体材料

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（)。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料