题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为()。
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。
答案
查看答案
重要提示：请勿将账号共享给其他人使用，违者账号将被封禁！
查看《购买须知》>>>
请输入或粘贴题目内容
搜题
拍照、语音搜题，请扫码下载APP
题目内容
（请给出正确答案）
答案
更多“在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为()。”相关的问题
第1题
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
第2题
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
第3题
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
第4题
A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动
B.均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动
C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动
D.载流子在电场作用下的定向运动
E.载流子的无规则热运动
F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
第5题
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
第6题
车间员工在使用物料(包括原辅料、中间体、包材)时发现物料有异常现象(有异物掺杂、外包装破损、颜色、气味改变、霉变、吸潮、生虫、受污染等)时，应该马上停止使用并报告车间负责人或工艺技术人员，填写异常物料相关信息，按偏差管理程序处理。()
第9题
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
第10题
A.在擦版过程中，一定要将印版上非图文部分的油墨擦拭干净
B.擦版后印版图纹部分内的油墨必须饱满充实
C.擦版箱应有一套锁紧装置，在印刷过程中必须将其锁紧
D.印刷过程中，擦版辊压力越大越好，避免擦不净
