在本征半导体中掺入微量五价元素形成（）型半导体，掺入微量三价元素形成（）型半导体。

A.四价

B.三价

C.五价

A.N型半导体

B.P型半导体

C.PN结

D.导体

A.二价

B.三价

C.四价

D.五价

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料