在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在()。

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。

A.观察贝贝在家中的自理能力

B.告诉家长孩子不开口的原因是因为他“天赋异禀”

C.对孩子提一些简单的问题，让孩子也参与老师和家长的谈话，发表自己的看法和想法

D.倾听家长在周末与贝贝户外活动时的情况，鼓励家长多带幼儿外出活动，大胆与陌生人交流等

A.探索药物制剂体内外相关性

B.比较药物成分在不同固体、液体、半固体等剂型中溶出度

C.研究不同提取方法与溶出度的关系

D.考察制剂中赋形剂对药物成分溶出度的影响

E.考察制备工艺对药物成分溶出度影响

A. 光亮程度

B. 工艺性

C. 坚固程度

D. 耐磨性

三类调查与二类调查比较，三类调查要求内容更详细、数据更准确、精度要求更高。()

现有明显的曲性。为了优化工艺参数希望拟合出2阶模型，但是输入因素“功率”(单位：MW)原先的高、低水平分别为40和50，由此产生的轴向延伸试验点分别为37.93和52.07，超出了设备可控制的功率设置范围[38.5，51.5]，这时，由于试验成本很高，团队希望尽量使用上次全因子设计的数据，以下哪种方法最适合该六西格玛团队采用？

A.改用Box-Behnken设计试验方案

B.改用三水平设计

C.使用中心复合设计近似旋转性试验方案，轴向延伸试验点自定义改为38.5和51.5，其他不变

D.使用中心复合设计CCI试验方案，先确定轴向延伸试验点为38.5和51.5，再反推出高、低水平试验点为40.4和49.6

A、半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征

A.生产力较高

B.食物链较长

C.污染严重

D.稳定性强

E.生物种更简单

A.碳酸钙

B.氢氧化铝

C.二氧化硅

D.磷酸二氢钙