以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（）

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

A.P型

B.N型

C.PNP型

D.NPN型

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触

B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

A.电子数多于空穴数

B.电子数少于空穴数

C.电子数等于空穴数

D.电子数与空穴数之比为3:2

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。

A、半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征

A.由光激发产生的电子，无法到达导带，与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起，形成一种处于激发状态的新系统

B.新系统中的电子和空穴不能单独移动

C.整个系统呈电中性

D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级

E.新系统中的电子和空穴可以单独移动

F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到