N型半导体中多数载流子是电子,少数载流子是空穴。()

第1题

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)

点击查看答案

第2题

()型半导体中，自由电子为少数载流子。

（)型半导体中，自由电子为少数载流子。

点击查看答案

第3题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。（)

点击查看答案

第4题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

点击查看答案

第5题

关于N型半导体的下列说法，正确的是（)。

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

点击查看答案

第6题

以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。

A、半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征

点击查看答案

第7题

半导体磁敏感材料按照原理可以分为（)。

A.磁阻效应型

B.霍尔效应型

C.载流子偏转型

D.磁感效应型

点击查看答案

第8题

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

点击查看答案

第9题

三极管的发射区面积大，杂质浓度高，多数载流子数量多。（)

点击查看答案

第10题

纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是()和()。

纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是（)和（)。

点击查看答案

第11题

在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

点击查看答案

N型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（)