题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()
A.平坦能带状态
B.少子反型状态
C.深耗尽状态
D.本征状态
答案
查看答案
A.平坦能带状态
B.少子反型状态
C.深耗尽状态
D.本征状态
第1题
A.某些晶体在外加电场的作用下,其折射率随外加电场的变化而变化的现象。
B.某些晶体在外加电场的作用下,吸收系数随外加电场的变化而变化的现象。
C.某些晶体在外加电场的作用下,反射率随外加电场的变化而变化的现象。
D.以上说法都不对。
第3题
A.柱下面的水平面上
B.柱上面的水平面上
C.基础下面的水平面上
D.基础上面的水平面上
第4题
A.抵消一部分竖向荷载在梁下缘产生的拉应力
B.使桥台顶部受压
C.桥墩顶部在水平力作用下不是受拉
D.平衡一部分台后土压力
第6题
A.传递上部结构的支撑反力(包括恒荷载和活荷载引起的竖向力和水平力)
B.减小荷载引起的桥梁上部结构振动
C.支座是位于桥梁上部结构和下部结构之间的传力装置
D.保证结构在活荷载、温度变化、混凝土收缩和徐变等因素作用下发生一定的变形,以便使上、下部结构的实际受力情况符合结构的静力计算图示
第8题
第10题
第11题
A.0.152
B.0.167
C.0.174
D.0.185