纯净半导体中掺入（）元素可获得N型半导体。

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体

纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是（)和（)。

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触

B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为负，则该半导体是（)型半导体。【填写“N”或“P”】

A.传导

B.传热

C.反馈

D.循环

A.催化燃烧型检测仪

B.半导体型检测仪

C.热导体型检测仪

D.热磁气体检测仪