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[判断题]

p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。（)

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发布时间：2022-06-19

更多“p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。()”相关的问题

第1题

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？

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第2题

施工区域的井、坑、孔或沟道应覆盖与地面齐平且坚固的盖板。临时孔洞、基坑不必设置围栏和警示牌。（)

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第3题

敞开式循环冷却水系统一般有蓄水池、循环水泵、换热器、冷却塔、集水池、补水管、过滤器及它们的连通管道及沟道组成。（)

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第4题

在井下和沟道内工作时，应检查工作地点是否安全，通风是否良好，并用明火检查有无瓦斯气。（)

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第5题

N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。结型场效应管的输出特性也有三个工作区域：______、______和______。

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第6题

已知某N沟道MOS管的K_n=0.25mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gd=0.04pF，C_gn=0.2pF。设其偏置电压V_GSQ=3V，试求其单位增益带宽f_T。

已知某N沟道MOS管的K_n=0.25mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gd=0.04pF，C_gn=0.2pF。设其偏置电压V_GSQ=3V，试求其单位增益带宽f_T。

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第7题

可以将油料、酸、碱等液体废料倒入沟道、隧道、地下室和地坑。（)

可以将油料、酸、碱等液体废料倒入沟道、隧道、地下室和地坑。()

参考答案：错误

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第8题

结型场效应管是耗尽型场效应管，有______和______2种沟道。

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第9题

地下维护室及沟道内必须保持清洁，（)不准堆积任何物品。

A.入口

B.出口

C.出入口

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第10题

工作场所的井、坑、孔、洞或沟道，必须覆以与地面()的坚固盖板，检修时如需取下盖板，必须设有牢固的临时围栏，并设有明显的警示标识

A.一致

B.齐平

C.高

D.低

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第11题

《安规》(热力和机械部分)规定，在可能发生有害气体的地下维护室或沟道内进行工作的人员，除必须()外，还必须使用安全带，安全带绳子的一端紧握在上面监护人手中。

A.眼镜

B.口罩

C.戴防毒面具

D.安全带

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