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[主观题]

结型场效应管是耗尽型场效应管,有______和______2种沟道。

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更多“结型场效应管是耗尽型场效应管,有______和______2种沟道。”相关的问题

第1题

分别判断图PI.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区.

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第2题

题图E6-32是两级放大电路,前级为场效应管放大电路,后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS,UBE⌘

题图E6-32是两级放大电路,前级为场效应管放大电路,后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS,UBE=0.6V,β=80,试求:(1)放大电路的总电压放大倍数;(2)放大电路的输入电阻和输出电阻。

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第3题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

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第4题

在图7.9.7所示的分压式自偏共源放大电路中,RG=1MΩ,RG1=40kΩ,RG2=10Ω,RD=RS=2
.5Ω,RL=10kΩ,UDD=20V,各电容的容抗均可忽略,已知场效应管的夹断电压Up=2V,饱和漏极电流IDSS=8mA。

(1) 求静态工作点和跨导;

(2) 画出微变等效电路,计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

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第5题

高血压常见辨证分型有()

A.阴虚阳亢证

B.痰瘀互结证

C.肾阳亏虚证

D.冲任失调证

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第6题

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:

(1)该管是耗尽型还是增强型?

(2)是N沟道还是P沟道FET?

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V?其值等于多少?

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第7题

PN结就是在P型和N型的交界处形成的一个具有特殊性质的区域。()
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第8题

压电式加速度传感器是()型传感器()。

A.适于测量直流信号

B.结构型

C.适于测量缓变信号

D.适于测量动态信号

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第9题

临床上多采用手术切除的是()

A.原发性肺结核

B.浸润型肺结核

C.干酪性肺炎

D.结核球

E.骨结核

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第10题

前位缢型是指()。

A.结扣在颈前部

B.缢沟提空部分在颈前部

C.着力点在颈前部

D.着力点在颈后部

E.又称完全性缢死

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第11题

在权变理论的观点中,企业可以分为()。

A.工作流程一行政型

B.人员一行政组织型

C.含蓄结构型

D.完全的工作流程型

E.完全的行政组织型

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