p型空间电荷区由（)构成。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

A.电子数多于空穴数

B.电子数少于空穴数

C.电子数等于空穴数

D.电子数与空穴数之比为3:2

A.光敏二极管

B.MOS电容器

C.PN结

D.P型硅

A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触

B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

A.电子

B.质子

C.中子

D.以上都是

A.国家公共服务平台

B.省公共服务平台

C.市公共服务平台

D.县公共服务平台

E.自治区公共服务平台

A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域

B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域

C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区

D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域