‍肖特基势垒是下面哪种接触形成的？（)‍

A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触

B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构

B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构

C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构

D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构

A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

A.粘着不是气泡的矿化过程

B.矿化泡沫层的的厚度和质量直接影响精煤质量

C.升浮过程是矿化气泡上浮过程

D.接触为气泡的矿化过程

A.粘着不是气泡的矿化过程

B.接触为气泡的矿化过程

C.升浮过程是矿化气泡上浮过程

D.矿化泡沫层的的厚度和质量直接影响精煤质量。

长期接触下面哪种粉尘患有胸膜间皮瘤后可认定为工伤()

A水泥粉尘

B煤尘

C石墨粉尘

D石棉粉尘

E云母粉尘

A.城市的经济结构

B.城市的社会结构

C.城市的政治结构

D.城市的空间结构

A.低功耗

B.大电流

C.高电压

D.超高速

A.比喻、顶真、拟人、反复

B.顶真、比喻、反复、拟人

C.反复、拟人、顶真、比喻

D.拟人、反复、比喻、顶真