更多“1．推导PN结空间电荷区内建电势差公式．”相关的问题
第1题
PN结空间电荷区中心处电势为最大。（)
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第3题
PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时：()。
A.空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动
B.空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动
C.空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动
D.空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
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第4题
已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd=1.5X1017cm-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.
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第5题
写出考虑了发射结空间电荷区复合和基区表面复合后均匀基区晶体管的的表西安邮电大学微电子学系商世广达式，并简要说明公式的物理意义。
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第6题
在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的什么向P区运动，P区的什么向N区运动？
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第7题
关于三极管的内部结构，正确的说法是（）
A.三个区，三个PN结，三个电极
B.两个区，两个PN结，两个电极
C.三个区，两个PN结，三个电极
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第8题
反向连接：PN结的外加电源正极接（）型区，负极接（）区。
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第9题
当PN结的P区接电源的负极，而N区接电源的正极，PN结就会导通。（）
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第10题
PN结的正向接法是将电源的正极接（）区，电源的负极接（）区。
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第11题
PN结的正向接法为：P区接电源（）极，N区接电源（）极。
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