PN结的空间电荷区的电荷有（)。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

A.1

B.2

C.3

D.4

单晶硅棒和PN结的制造技术等，与（)以及（)等半导体制造技术有较多共同部分，且历史悠久，实际业绩突出。

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

PN结正偏时（)，呈现（)的电阻，形成较大的正向电流;反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。即PN结正偏导通、反偏截止，因此PN结具有（)。

当加（)时PN结导通，出现较大的正向电流。