()型半导体中，自由电子为少数载流子。

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动

B.均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动

C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动

D.载流子在电场作用下的定向运动

E.载流子的无规则热运动

F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料