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[填空题]

设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、反刻铝电极等六次光刻。

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发布时间：2023-01-11

更多“设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、反刻铝电极等六次光刻。”相关的问题

第1题

构成CCD的基本单元是（)。

A.光敏二极管

B.MOS电容器

C.PN结

D.P型硅

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第2题

最简单、最基本的一种码型是（）码。

A.差分

B.二电平

C.双极性

D.密勒

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第3题

三极管有（）个电极，有（）个PN结，其中B极C极之间的PN结叫（），B极E极间的PN结叫（）。

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第4题

三极管（）说明坏了。

A.b.e.极PN结正向电阻很小

B.b.c极PN结反向电阻很大

C.b.c极PN结正向电阻很大

D.b.e.极PN结正向、反向电阻差别很大

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第5题

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为N_a=10¹⁶cm^-3,Nd=1.5X10¹⁷cm^-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第6题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第7题

在足够能量的光照条件，晶体硅太阳能电池板在PN结的建电场作用下，N区的向P区运动，P区的（）向N区运动

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第8题

三极管可分为()型与()型两类，每一类都有两个PN结。基区与发射区之间得结称为()，基区与集电区之间得结称为()。

三极管可分为（)型与（)型两类，每一类都有两个PN结。基区与发射区之间得结称为（)，基区与集电区之间得结称为（)。

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第9题

PN型硅材料高频小功率三极管表示为（）。

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第10题

用万用表KX100档测量半导体三级管各极间的正反向电阻时，结果都旦现很小的阻值，由此可判断（)

A. 发射结被击穿

B. 集电结被击穿

C. 两个PN结都被击穿

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第11题

晶闸管是一种大功率半导体器件，它是具有（）个PN结的四层结构。

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