双极型晶体管的发射极和集电极是等效的，使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。（)

A.绝缘栅双极晶体管

B.门极可关断晶闸管

C.静电感应晶体管

D.集成门极换流晶闸管

A.共基极

B.共发射极

C.共集电极

A.正向串联

B.反向并联

C.正向并联

D.反向串联

在图NPS1-9（a)所示电路中，晶体管参数β=50，I_S=10^-14A，输入信号源电压v₁（t)=5+2si

n(2πX10³t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T3，T4管集电极电压波形和T₁，T₂管发射极电流波形。(3)若T₂管损坏(断开)，试求输出电压值，并分析原因。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

A.上升

B.下降

C.不变

D.不确定

_N=50Hz， 定子绕组Y联接。由实验测得定子电阻R_S=0.35，定子漏感L_IS=0.006H，定子绕组产生气隙主磁通的等效电感L_m=0.26H，转子电阻R`<sub>r</sub>=0.5，转子漏感L`_Ir=0.007H，转子参数已折合到定子侧，忽略铁心损耗。若定子每相绕组数N_s=125，定子基波绕组系数k_Ns=0.92，定子电压和频率均为额定值。求：(1).忽略定子漏阻抗，每极气隙磁通量和气隙碰通在定子每相中异步电动势的有效值E_g;(2).考虑定子漏阻抗，在理想空载和额定负载时的和E_g：(3).比较上述三种情况下和E_g的差异，并说明原因。