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[单选题]

某NPN型硅三极管各电极对地的电压值为VC=7.2V,VB=2.7V,VE=2V,晶体管工作在()

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.不能确定

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更多“某NPN型硅三极管各电极对地的电压值为VC=7.2V,VB=2.7V,VE=2V,晶体管工作在()”相关的问题

第1题

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。

A.NPN型锗管

B.NPN型硅管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

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第2题

3DG6三极管的制作材料、类型粉笔是()。

A.硅

B.NPN型

C.锗

D.PBP型

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第3题

3DJI表示NPN型硅材料金属高频三极管。()
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第4题

NPN三极管各极电压Ue=1V,Ub=1.2V,Uc=6V,该管处于()状态。

A.截止

B.饱和

C.放大

D.开关

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第5题

三极管组成的放大电路在工作时,测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,则此三极管不是处于()。

A.放大区;

B.饱和区;

C.截止区;

D.击穿区。

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第6题

用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是()。

A.(

B.E)

C.(

D.E)

E.(

F.F.B)

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第7题

用光电法测量某高速转轴的转速时,选用最合适的的光电器件是()。

A. PMT

B. CdS光敏电阻

C. 2CR42硅光电池

D. 3DU型光电三极管

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第8题

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第9题

以下不能使NPN型三极管可靠截止的有()

A.UBE<0,UBC<0

B.UBE>0,UBC>0

C.UBE<0,UBC>0

D.UBE>0,UBC<0

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第10题

三极管按用途分类是()。

A.放大管和开关管

B.NPN型管和PNP型管

C.高频管和低频管

D.大、中、小功率管

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第11题

电压型框架保护检测负极对地电压,对地电位达到整定值时,保护动作发出跳闸信号()
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