在考虑一条简单的矩形导线放在半导体衬底上时,如果导线的宽度明显大于它与衬底之间的绝缘材料的厚度时,就可以假设电场线于电容极板,那么这两者之间的电容就可以用平行板电容模型来模拟,总电容可近似为()。
A.平行;Cint=(εdi/tdi)×WL
B.平行;Cint=(tdi/εdi)×WL
C.垂直;Cint=(εdi/tdi)×WL
D.垂直;Cint=(tdi/εdi)×WL
A.平行;Cint=(εdi/tdi)×WL
B.平行;Cint=(tdi/εdi)×WL
C.垂直;Cint=(εdi/tdi)×WL
D.垂直;Cint=(tdi/εdi)×WL
第1题
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成
第2题
A.只存在一种载流子:自由电子
B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
第3题
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加
第4题
一长直导线AB,通有电流I=5A,导线右侧有一矩形线圈cdef(如图9-11)。图中a= 6cm,b=15cm,l=20cm。线圈共有N=1000匝,以速度D=3m/s向右运动(速度方向与导线AB垂直)。求(1)当线圈运动到如图所示位置时的感应电动势;(2)若线圈在如图所示的位置不动,导线AB中通以交流电I=5sin100πtA时,线圈中的感应电动势。
第5题
A.良性的记忆减退和痴呆的早期鉴别,这中间没有一条很明显的鸿沟,能力下降之后,也会使老年人完成社会角色的能力下降
B.老年人生理能力的下降不会使他完成社会角色的能力下降
C.老年人的社会适应问题应该放在精神里面好好考虑,看看哪些是老年人的症状,哪些是他的社会不适应带来的问题
D.老年人退休后,社会角色没有了,家庭角色也会发生变化
第8题
A.常见的金属导线都是导体
B.保险装置的保险丝是用绝缘体做的
C.发光二极管和光敏电阻都是用半导体材料做的
D.用超导体传送高压电能没有热损耗
第11题
的梁下部与梁上部实配的钢筋根数与直筋,根据《混凝土结构设计规范》()第8.1.2条公式计算。当计算裂缝宽度()时,该裂缝宽度用红色在图上显示。