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[主观题]
一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求
一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求
一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求出时变增量电导的表示式,分析该器件在哪种情况下能实现调制、解调和混频等频谱搬移功能。
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一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求出时变增量电导的表示式,分析该器件在哪种情况下能实现调制、解调和混频等频谱搬移功能。
第1题
静态偏置电压VQ=0V,在满足线性时变条件下,试分别求出具有图NP4-20所示两种伏安特性的混频管的混频跨导gmc。
第3题
第4题
V)。
第6题
A.半导体器件的非线性所致,其输出波形中含有新的频率成分
B.截止失真、饱和失真、过流失真
C.截止失真、饱和失真、过流失真、交越失真
D.截止失真、饱和失真、交越失真
第7题
第8题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。。
第9题